casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR20100CTP
codice articolo del costruttore | SBR20100CTP |
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Numero di parte futuro | FT-SBR20100CTP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR20100CTP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR20100CTP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR20100CTP-FT |
MBR600200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60060CT
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel