casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR60045CT
codice articolo del costruttore | MBR60045CT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBR60045CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR60045CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR60045CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR60045CT-FT |
MBR2X100A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A150
GeneSiC Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel