casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR60020CTR
codice articolo del costruttore | MBR60020CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR60020CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR60020CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR60020CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR60020CTR-FT |
MBR2X080A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A200
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel