casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR60035CTR
codice articolo del costruttore | MBR60035CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR60035CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR60035CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR60035CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR60035CTR-FT |
MBR2X100A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A120
GeneSiC Semiconductor
XC4013XL-1HT144I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU040-L1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-CQ208B
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15F23I8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I3N
Intel
A40MX04-PLG84I
Microsemi Corporation
EP1S30B956C7
Intel