casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR600200CTR
codice articolo del costruttore | MBR600200CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR600200CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR600200CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 300A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR600200CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR600200CTR-FT |
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A120
GeneSiC Semiconductor
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation