casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK1576DPA-00#J5A
codice articolo del costruttore | RJK1576DPA-00#J5A |
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Numero di parte futuro | FT-RJK1576DPA-00#J5A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK1576DPA-00#J5A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | WPAK(3F) (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK1576DPA-00#J5A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK1576DPA-00#J5A-FT |
HAT1072H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2096H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2099H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2116H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2140H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2141H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2143H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2160H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2164H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2165H-EL-E
Renesas Electronics America
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel