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Renesas Electronics America HAT2165H-EL-E
- Numero parte MFG
- HAT2165H-EL-E
- quantità disponibile
- 87440 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.0192
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Renesas Electronics America
- Breve descrizione
- - MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- HAT2165H-EL-E.pdf
HAT2165H-EL-E specificazioni
| codice articolo del costruttore | HAT2165H-EL-E |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-HAT2165H-EL-E |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| HAT2165H-EL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 27.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5180pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
| Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HAT2165H-EL-E Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | HAT2165H-EL-E-FT |
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