casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HAT2164H-EL-E
codice articolo del costruttore | HAT2164H-EL-E |
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Numero di parte futuro | FT-HAT2164H-EL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HAT2164H-EL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2164H-EL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HAT2164H-EL-E-FT |
RS1E200GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E280GNTB
Rohm Semiconductor
RS1G300GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E130GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E150GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E170GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E200BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E240BNTB
Rohm Semiconductor
RS1E280BNTB
Rohm Semiconductor
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
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XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
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XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.