casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HAT1072H-EL-E
codice articolo del costruttore | HAT1072H-EL-E |
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Numero di parte futuro | FT-HAT1072H-EL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HAT1072H-EL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +10V, -20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT1072H-EL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HAT1072H-EL-E-FT |
RSD150N06TL
Rohm Semiconductor
RSD175N10TL
Rohm Semiconductor
RSD200N10TL
Rohm Semiconductor
RSD221N06TL
Rohm Semiconductor
RV2C014BCT2CL
Rohm Semiconductor
RV3C002UNT2CL
Rohm Semiconductor
RS1G120MNTB
Rohm Semiconductor
RS1E240GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E200GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E280GNTB
Rohm Semiconductor
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel