casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HAT2140H-EL-E
codice articolo del costruttore | HAT2140H-EL-E |
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Numero di parte futuro | FT-HAT2140H-EL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HAT2140H-EL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2140H-EL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HAT2140H-EL-E-FT |
RV2C014BCT2CL
Rohm Semiconductor
RV3C002UNT2CL
Rohm Semiconductor
RS1G120MNTB
Rohm Semiconductor
RS1E240GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E200GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E280GNTB
Rohm Semiconductor
RS1G300GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E130GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E150GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E170GNTB
Rohm Semiconductor
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel