casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK0853DPB-00#J5
codice articolo del costruttore | RJK0853DPB-00#J5 |
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Numero di parte futuro | FT-RJK0853DPB-00#J5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK0853DPB-00#J5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6170pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0853DPB-00#J5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK0853DPB-00#J5-FT |
2SK1859-E
Renesas Electronics America
2SK2221-E
Renesas Electronics America
RJK2508DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK2511DPK-00#T0
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RJK4018DPK-00#T0
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RJK4514DPK-00#T0
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RJK4518DPK-00#T0
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RJK5018DPK-00#T0
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RJK5020DPK-00#T0
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RJK6014DPK-00#T0
Renesas Electronics America
A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
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EPF10K30AQC208-3N
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