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Renesas Electronics America RJK2511DPK-00#T0

Numero parte MFG
RJK2511DPK-00#T0
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16420 pezzi
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fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore RJK2511DPK-00#T0
Numero di parte futuro FT-RJK2511DPK-00#T0
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RJK2511DPK-00#T0 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK2511DPK-00#T0 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RJK2511DPK-00#T0-FT

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