casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK5020DPK-00#T0
codice articolo del costruttore | RJK5020DPK-00#T0 |
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Numero di parte futuro | FT-RJK5020DPK-00#T0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK5020DPK-00#T0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 118 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK5020DPK-00#T0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK5020DPK-00#T0-FT |
RQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E150BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E160ADTB
Rohm Semiconductor
RQ3E180AJTB
Rohm Semiconductor
RQ3E180BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3G100GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3G150GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3L050GNTB
Rohm Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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