casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SK1859-E
codice articolo del costruttore | 2SK1859-E |
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Numero di parte futuro | FT-2SK1859-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK1859-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 980pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK1859-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK1859-E-FT |
RQ3E120GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E130MNTB1
Rohm Semiconductor
RQ3E150GNTB
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RQ3E180GNTB
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RQ3E070BNTB
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RQ3E080BNTB
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RQ3E080GNTB
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RQ3E100GNTB
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RQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor
RQ3E120BNTB
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XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
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MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation