casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6020FNX
codice articolo del costruttore | R6020FNX |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-R6020FNX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6020FNX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FM |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6020FNX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6020FNX-FT |
TK100S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK15S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK30S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40P03M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40P04M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel