casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R6020FNX
codice articolo del costruttore | R6020FNX |
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Numero di parte futuro | FT-R6020FNX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6020FNX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FM |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6020FNX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6020FNX-FT |
TK100S04N1L,LQ
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TK10S04K3L(T6L1,NQ
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TK15S04N1L,LQ
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TK35S04K3L(T6L1,NQ
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TK40P03M1(T6RSS-Q)
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TK40P04M1(T6RSS-Q)
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