casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK30S06K3L(T6L1,NQ
codice articolo del costruttore | TK30S06K3L(T6L1,NQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK30S06K3L(T6L1,NQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIV |
TK30S06K3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 Ohm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 58W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK30S06K3L(T6L1,NQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK30S06K3L(T6L1,NQ-FT |
IRLR8259PBF
Infineon Technologies
IRLR8259TRPBF
Infineon Technologies
IRLR8503
Infineon Technologies
IRLR8503PBF
Infineon Technologies
IRLR8503TR
Infineon Technologies
IRLR8503TRL
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Infineon Technologies
IRLR8503TRPBF
Infineon Technologies
IRLR8503TRR
Infineon Technologies
IRLR8503TRRPBF
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel