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Toshiba Semiconductor and Storage TK40P04M1(T6RSS-Q)

Name: TK40P04M1(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK40P04M1(T6RSS-Q)
Availability: InStock
Rating: 4.9 (644 reviews)

Numero parte MFG: TK40P04M1(T6RSS-Q)

quantità disponibile: 46270 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TK40P04M1(T6RSS-Q).pdf

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TK40P04M1(T6RSS-Q) specificazioni

codice articolo del costruttore	TK40P04M1(T6RSS-Q)
Numero di parte futuro	FT-TK40P04M1(T6RSS-Q)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI-H
TK40P04M1(T6RSS-Q) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1920pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	47W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DP
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK40P04M1(T6RSS-Q) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TK40P04M1(T6RSS-Q)-FT

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