casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK100S04N1L,LQ
codice articolo del costruttore | TK100S04N1L,LQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK100S04N1L,LQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK100S04N1L,LQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5490pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK100S04N1L,LQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK100S04N1L,LQ-FT |
IRLR8113PBF
Infineon Technologies
IRLR8113TR
Infineon Technologies
IRLR8113TRLPBF
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IRLR8113TRPBF
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IRLR8259TRPBF
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IRLR8503
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IRLR8503PBF
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
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LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-7000HE-4BG332C
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