casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TK10S04K3L(T6L1,NQ
codice articolo del costruttore | TK10S04K3L(T6L1,NQ |
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Numero di parte futuro | FT-TK10S04K3L(T6L1,NQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSIV |
TK10S04K3L(T6L1,NQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK+ |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK10S04K3L(T6L1,NQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK10S04K3L(T6L1,NQ-FT |
IRLR8113TR
Infineon Technologies
IRLR8113TRLPBF
Infineon Technologies
IRLR8113TRPBF
Infineon Technologies
IRLR8113TRRPBF
Infineon Technologies
IRLR8256PBF
Infineon Technologies
IRLR8259PBF
Infineon Technologies
IRLR8259TRPBF
Infineon Technologies
IRLR8503
Infineon Technologies
IRLR8503PBF
Infineon Technologies
IRLR8503TR
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
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EP4SGX530KF43C3
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A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
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EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
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