casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / R5207ANDTL
codice articolo del costruttore | R5207ANDTL |
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Numero di parte futuro | FT-R5207ANDTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R5207ANDTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 525V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CPT3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5207ANDTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R5207ANDTL-FT |
RUE002N05TL
Rohm Semiconductor
RS3E075ATTB
Rohm Semiconductor
RW1A030APT2CR
Rohm Semiconductor
RW1E025RPT2CR
Rohm Semiconductor
ES6U1T2R
Rohm Semiconductor
ES6U2T2R
Rohm Semiconductor
ES6U3T2CR
Rohm Semiconductor
ES6U41T2R
Rohm Semiconductor
ES6U42T2R
Rohm Semiconductor
RW1A013ZPT2R
Rohm Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel