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Rohm Semiconductor RW1A030APT2CR
- Numero parte MFG
- RW1A030APT2CR
- quantità disponibile
- 98000 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.08928
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descrizione
- - MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- RW1A030APT2CR.pdf
RW1A030APT2CR specificazioni
| codice articolo del costruttore | RW1A030APT2CR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-RW1A030APT2CR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| RW1A030APT2CR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | -8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 6V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WEMT |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RW1A030APT2CR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | RW1A030APT2CR-FT |
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