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Rohm Semiconductor RW1E025RPT2CR

Numero parte MFG
RW1E025RPT2CR
quantità disponibile
73010 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.06192
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RW1E025RPT2CR specificazioni

codice articolo del costruttore RW1E025RPT2CR
Numero di parte futuro FT-RW1E025RPT2CR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RW1E025RPT2CR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WEMT
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1E025RPT2CR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RW1E025RPT2CR-FT

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