casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ES6U2T2R
codice articolo del costruttore | ES6U2T2R |
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Numero di parte futuro | FT-ES6U2T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES6U2T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WEMT |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES6U2T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES6U2T2R-FT |
RD3P200SNFRATL
Rohm Semiconductor
RD3S075CNTL1
Rohm Semiconductor
RD3S100CNTL1
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RD3T050CNTL1
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RD3T075CNTL1
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A54SX16A-2TQ144I
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XC3S700AN-4FGG484I
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XC6VLX195T-2FFG784I
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