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Rohm Semiconductor ES6U3T2CR

Numero parte MFG
ES6U3T2CR
quantità disponibile
97970 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.1566
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Data di spedizione
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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ES6U3T2CR specificazioni

codice articolo del costruttore ES6U3T2CR
Numero di parte futuro FT-ES6U3T2CR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ES6U3T2CR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 10V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WEMT
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ES6U3T2CR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio ES6U3T2CR-FT

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