casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMN45EN,165
codice articolo del costruttore | PMN45EN,165 |
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Numero di parte futuro | FT-PMN45EN,165 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMN45EN,165 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 495pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN45EN,165 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMN45EN,165-FT |
SI2392ADS-T1-GE3
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SI2392DS-T1-GE3
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SI2399DS-T1-GE3
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5SGSMD8N3F45I3N
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XC6VLX195T-2FFG784C
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XC6VLX195T-2FFG784I
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LCMXO2280E-4MN132I
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