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Vishay Siliconix SI2399DS-T1-GE3
- Numero parte MFG
- SI2399DS-T1-GE3
- quantità disponibile
- 15290 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.15884
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Vishay Siliconix
- Breve descrizione
- TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SI2399DS-T1-GE3.pdf
SI2399DS-T1-GE3 specificazioni
| codice articolo del costruttore | SI2399DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SI2399DS-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchFET® |
| SI2399DS-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 835pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SI2399DS-T1-GE3 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SI2399DS-T1-GE3-FT |
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