casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SN7002N L6327
codice articolo del costruttore | SN7002N L6327 |
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Numero di parte futuro | FT-SN7002N L6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SN7002N L6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 26µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SN7002N L6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SN7002N L6327-FT |
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS306NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS308PEL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS314PEL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS316NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS316NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS670S2L
Infineon Technologies
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel