casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SN7002NH6433XTMA1
codice articolo del costruttore | SN7002NH6433XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SN7002NH6433XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS™ |
SN7002NH6433XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 26µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SN7002NH6433XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SN7002NH6433XTMA1-FT |
BSS306NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS308PEL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS314PEL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS316NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS316NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS670S2L
Infineon Technologies
BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS7728N
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel