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ON Semiconductor NTLJF3117PTAG

Numero parte MFG
NTLJF3117PTAG
quantità disponibile
90480 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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NTLJF3117PTAG specificazioni

codice articolo del costruttore NTLJF3117PTAG
Numero di parte futuro FT-NTLJF3117PTAG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NTLJF3117PTAG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 531pF @ 10V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 710mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJF3117PTAG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NTLJF3117PTAG-FT

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