casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMS4101PR2
codice articolo del costruttore | NTMS4101PR2 |
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Numero di parte futuro | FT-NTMS4101PR2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMS4101PR2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.38W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMS4101PR2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMS4101PR2-FT |
NTB30N06LT4
ON Semiconductor
NTB30N06LT4G
ON Semiconductor
NTB30N06T4
ON Semiconductor
NTB30N06T4G
ON Semiconductor
NTB30N20
ON Semiconductor
NTB30N20G
ON Semiconductor
NTB30N20T4G
ON Semiconductor
NTB35N15G
ON Semiconductor
NTB35N15T4
ON Semiconductor
NTB45N06G
ON Semiconductor
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel