casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMS4101PR2
codice articolo del costruttore | NTMS4101PR2 |
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Numero di parte futuro | FT-NTMS4101PR2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMS4101PR2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.38W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMS4101PR2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMS4101PR2-FT |
NTB30N06LT4
ON Semiconductor
NTB30N06LT4G
ON Semiconductor
NTB30N06T4
ON Semiconductor
NTB30N06T4G
ON Semiconductor
NTB30N20
ON Semiconductor
NTB30N20G
ON Semiconductor
NTB30N20T4G
ON Semiconductor
NTB35N15G
ON Semiconductor
NTB35N15T4
ON Semiconductor
NTB45N06G
ON Semiconductor
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel