casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MMSF7P03HDR2
codice articolo del costruttore | MMSF7P03HDR2 |
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Numero di parte futuro | FT-MMSF7P03HDR2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMSF7P03HDR2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75.8nC @ 6V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 24V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMSF7P03HDR2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMSF7P03HDR2-FT |
NTB25P06
ON Semiconductor
NTB25P06G
ON Semiconductor
NTB27N06LT4
ON Semiconductor
NTB30N06G
ON Semiconductor
NTB30N06L
ON Semiconductor
NTB30N06LG
ON Semiconductor
NTB30N06LT4
ON Semiconductor
NTB30N06LT4G
ON Semiconductor
NTB30N06T4
ON Semiconductor
NTB30N06T4G
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel