casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMS4176PR2G
codice articolo del costruttore | NTMS4176PR2G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NTMS4176PR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMS4176PR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1720pF @ 24V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 810mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMS4176PR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMS4176PR2G-FT |
NTB30N06T4
ON Semiconductor
NTB30N06T4G
ON Semiconductor
NTB30N20
ON Semiconductor
NTB30N20G
ON Semiconductor
NTB30N20T4G
ON Semiconductor
NTB35N15G
ON Semiconductor
NTB35N15T4
ON Semiconductor
NTB45N06G
ON Semiconductor
NTB45N06LG
ON Semiconductor
NTB45N06LT4
ON Semiconductor