casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTMD4884NFR2G
codice articolo del costruttore | NTMD4884NFR2G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NTMD4884NFR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTMD4884NFR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 15V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 770mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMD4884NFR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTMD4884NFR2G-FT |
NTB27N06LT4
ON Semiconductor
NTB30N06G
ON Semiconductor
NTB30N06L
ON Semiconductor
NTB30N06LG
ON Semiconductor
NTB30N06LT4
ON Semiconductor
NTB30N06LT4G
ON Semiconductor
NTB30N06T4
ON Semiconductor
NTB30N06T4G
ON Semiconductor
NTB30N20
ON Semiconductor
NTB30N20G
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel