casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTHS5443T1G
codice articolo del costruttore | NTHS5443T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NTHS5443T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTHS5443T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHS5443T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTHS5443T1G-FT |
NTBV75N06T4G
ON Semiconductor
NVB25P06T4G
ON Semiconductor
NVB5405NT4G
ON Semiconductor
NVB5426NT4G
ON Semiconductor
NVB5860NLT4G
ON Semiconductor
NVB5860NT4G
ON Semiconductor
NVB60N06T4G
ON Semiconductor
NVB6410ANT4G
ON Semiconductor
NVB6411ANT4G
ON Semiconductor
NVB6412ANT4G
ON Semiconductor
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel