casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVB5405NT4G
codice articolo del costruttore | NVB5405NT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NVB5405NT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVB5405NT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16.5A (Ta), 116A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 32V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVB5405NT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVB5405NT4G-FT |
NVD4809NT4G
ON Semiconductor
NVD4810NT4G-VF01
ON Semiconductor
NVD4813NHT4G
ON Semiconductor
NVD4815NT4G
ON Semiconductor
NVD4856NT4G
ON Semiconductor
NVD5413NT4G
ON Semiconductor
NVD5484NLT4G
ON Semiconductor
NVD5490NLT4G
ON Semiconductor
NVD5803NT4G
ON Semiconductor
NVD5865NLT4G
ON Semiconductor
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel