casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVB6410ANT4G
codice articolo del costruttore | NVB6410ANT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NVB6410ANT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVB6410ANT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 76A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 76A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVB6410ANT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVB6410ANT4G-FT |
NVD5413NT4G
ON Semiconductor
NVD5484NLT4G
ON Semiconductor
NVD5490NLT4G
ON Semiconductor
NVD5803NT4G
ON Semiconductor
NVD5865NLT4G
ON Semiconductor
NVD6414ANT4G
ON Semiconductor
NVD6415ANLT4G
ON Semiconductor
NVD6416ANT4G
ON Semiconductor
STD110N02RT4G
ON Semiconductor
NTB35N15T4G
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel