casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVB6411ANT4G
codice articolo del costruttore | NVB6411ANT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NVB6411ANT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVB6411ANT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 72A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 217W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVB6411ANT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVB6411ANT4G-FT |
NVD5484NLT4G
ON Semiconductor
NVD5490NLT4G
ON Semiconductor
NVD5803NT4G
ON Semiconductor
NVD5865NLT4G
ON Semiconductor
NVD6414ANT4G
ON Semiconductor
NVD6415ANLT4G
ON Semiconductor
NVD6416ANT4G
ON Semiconductor
STD110N02RT4G
ON Semiconductor
NTB35N15T4G
ON Semiconductor
NTB5605PT4G
ON Semiconductor
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel