casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVB6411ANT4G
codice articolo del costruttore | NVB6411ANT4G |
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Numero di parte futuro | FT-NVB6411ANT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVB6411ANT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 72A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 217W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVB6411ANT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVB6411ANT4G-FT |
NVD5484NLT4G
ON Semiconductor
NVD5490NLT4G
ON Semiconductor
NVD5803NT4G
ON Semiconductor
NVD5865NLT4G
ON Semiconductor
NVD6414ANT4G
ON Semiconductor
NVD6415ANLT4G
ON Semiconductor
NVD6416ANT4G
ON Semiconductor
STD110N02RT4G
ON Semiconductor
NTB35N15T4G
ON Semiconductor
NTB5605PT4G
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel