casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVB60N06T4G
codice articolo del costruttore | NVB60N06T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NVB60N06T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVB60N06T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVB60N06T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVB60N06T4G-FT |
NVD4856NT4G
ON Semiconductor
NVD5413NT4G
ON Semiconductor
NVD5484NLT4G
ON Semiconductor
NVD5490NLT4G
ON Semiconductor
NVD5803NT4G
ON Semiconductor
NVD5865NLT4G
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NVD6414ANT4G
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NVD6415ANLT4G
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NVD6416ANT4G
ON Semiconductor
STD110N02RT4G
ON Semiconductor
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel