casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NTHD3101FT3
codice articolo del costruttore | NTHD3101FT3 |
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Numero di parte futuro | FT-NTHD3101FT3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NTHD3101FT3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 10V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHD3101FT3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NTHD3101FT3-FT |
NVB60N06T4G
ON Semiconductor
NVB6410ANT4G
ON Semiconductor
NVB6411ANT4G
ON Semiconductor
NVB6412ANT4G
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NVB6413ANT4G
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SMP3003-TL-1E
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SMP3003-DL-1E
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BBS3002-DL-1E
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2SJ665-DL-1EX
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
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EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
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