casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SJ665-DL-1EX
codice articolo del costruttore | 2SJ665-DL-1EX |
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Numero di parte futuro | FT-2SJ665-DL-1EX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SJ665-DL-1EX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SJ665-DL-1EX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SJ665-DL-1EX-FT |
STD110N02RT4G
ON Semiconductor
NTB35N15T4G
ON Semiconductor
NTB5605PT4G
ON Semiconductor
NTB25P06T4G
ON Semiconductor
NTB45N06T4G
ON Semiconductor
MTB50P03HDLT4G
ON Semiconductor
NTB45N06LT4G
ON Semiconductor
NTB6410ANT4G
ON Semiconductor
NTB6413ANT4G
ON Semiconductor
NVB5404NT4G
ON Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel