casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NSVT65010MW6T1G
codice articolo del costruttore | NSVT65010MW6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVT65010MW6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVT65010MW6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 380mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88 (SOT-363) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVT65010MW6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVT65010MW6T1G-FT |
CPH5541-TL-E
ON Semiconductor
CPH5520-TL-E
ON Semiconductor
NST3906DP6T5G
ON Semiconductor
NST847BDP6T5G
ON Semiconductor
NST3904DP6T5G
ON Semiconductor
NST847BPDP6T5G
ON Semiconductor
NST857BDP6T5G
ON Semiconductor
NSVT3904DP6T5G
ON Semiconductor
NST3946DP6T5G
ON Semiconductor
NST3946DXV6T1G
ON Semiconductor
XC3S1200E-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XCV300E-6FG456C
Xilinx Inc.
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC2V2000-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQ176I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel