casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / NST65011MW6T1G
codice articolo del costruttore | NST65011MW6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NST65011MW6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NST65011MW6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 380mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88 (SOT-363) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NST65011MW6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NST65011MW6T1G-FT |
CPH5518-TL-H
ON Semiconductor
CPH5541-TL-E
ON Semiconductor
CPH5520-TL-E
ON Semiconductor
NST3906DP6T5G
ON Semiconductor
NST847BDP6T5G
ON Semiconductor
NST3904DP6T5G
ON Semiconductor
NST847BPDP6T5G
ON Semiconductor
NST857BDP6T5G
ON Semiconductor
NSVT3904DP6T5G
ON Semiconductor
NST3946DP6T5G
ON Semiconductor
EP2C8T144I8
Intel
EX64-FTQ100
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
10M08DAF484C8GES
Intel
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation