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ON Semiconductor MUN5216DW1T1G

Numero parte MFG
MUN5216DW1T1G
quantità disponibile
62660 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.034544
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-MUN5216DW1T1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MUN5216DW1T1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 250mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MUN5216DW1T1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio MUN5216DW1T1G-FT

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