casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBA113EDXV6T1
codice articolo del costruttore | NSBA113EDXV6T1 |
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Numero di parte futuro | FT-NSBA113EDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBA113EDXV6T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA113EDXV6T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBA113EDXV6T1-FT |
XP0121N00L
Panasonic Electronic Components
XP0221100L
Panasonic Electronic Components
XP0331100L
Panasonic Electronic Components
XP0338300L
Panasonic Electronic Components
XP0339000L
Panasonic Electronic Components
NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA124EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC115TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor
XC6SLX150-N3FG900I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256T
Microsemi Corporation
A54SX08A-PQ208A
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35F672I8N
Intel
EP2C70F672C6
Intel
EPF10K200SBC600-1X
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.