casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / EMD5DXV6T1
codice articolo del costruttore | EMD5DXV6T1 |
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Numero di parte futuro | FT-EMD5DXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMD5DXV6T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms, 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms, 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD5DXV6T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMD5DXV6T1-FT |
XP0121E00L
Panasonic Electronic Components
XP0121L00L
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XP0121M00L
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XP0121N00L
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NSBC114YPDP6T5G
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A42MX09-3VQG100
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