casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBA114TDXV6T1
codice articolo del costruttore | NSBA114TDXV6T1 |
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Numero di parte futuro | FT-NSBA114TDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBA114TDXV6T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA114TDXV6T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBA114TDXV6T1-FT |
XP0338300L
Panasonic Electronic Components
XP0339000L
Panasonic Electronic Components
NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA124EDP6T5G
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EPF6010ATC144-1
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LCMXO640C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
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XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256
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A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100I
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LFXP6E-3F256C
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10AX115N3F45I2SG
Intel