casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBA114EDXV6T5
codice articolo del costruttore | NSBA114EDXV6T5 |
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Numero di parte futuro | FT-NSBA114EDXV6T5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBA114EDXV6T5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA114EDXV6T5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBA114EDXV6T5-FT |
XP0221100L
Panasonic Electronic Components
XP0331100L
Panasonic Electronic Components
XP0338300L
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XP0339000L
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NSBC114YPDP6T5G
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NSBA124EDP6T5G
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NSBC124EDP6T5G
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NSBC143EDP6T5G
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XC6SLX16-3FT256I
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XCKU035-2FBVA676E
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M1A3P1000-2FGG484I
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AGLN030V2-ZQNG48I
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5SGXMA5H2F35C2N
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5SGXMA5K3F35C2N
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EP3SE80F1152I4
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LFE3-95E-8FN484C
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EP2SGX60DF780C5N
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