casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / MUN5112DW1T1G
codice articolo del costruttore | MUN5112DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5112DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5112DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5112DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5112DW1T1G-FT |
NSBC114TDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor
EMF5XV6T5
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1
ON Semiconductor
XC7A35T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LIF-MD6000-6KMG80I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M50DCF256I6G
Intel
5SGSMD4K2F40I2L
Intel
5SGXMA5N2F45I3N
Intel
XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ARC240-1N
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel