casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MTM761100LBF
codice articolo del costruttore | MTM761100LBF |
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Numero di parte futuro | FT-MTM761100LBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTM761100LBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 1A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | WSMini6-F1-B |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTM761100LBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTM761100LBF-FT |
HAT2165H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2166H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2169H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2170H-EL-E
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HAT2171H-EL-E
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HAT2172H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2173H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2174H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2175H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2266H-EL-E
Renesas Electronics America
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel