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Renesas Electronics America HAT2169H-EL-E

Name: HAT2169H-EL-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: HAT2169H-EL-E
Price: 1.232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (529 reviews)

Numero parte MFG: HAT2169H-EL-E

quantità disponibile: 25920 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.232

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HAT2169H-EL-E.pdf

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HAT2169H-EL-E specificazioni

codice articolo del costruttore	HAT2169H-EL-E
Numero di parte futuro	FT-HAT2169H-EL-E
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HAT2169H-EL-E Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6650pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HAT2169H-EL-E Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HAT2169H-EL-E-FT

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